RJP63F3A, IGBT транзистор N Channel, 630V 40A, TO220FL
Доставка
- Новая Почта
- Самовывоз
- Курьером
Оплата
- Онлайн-оплата
- Оплата при получении
Гарантия
- Гарантия 12 месяцев
Доставка
- Новая Почта
- Самовывоз
- Курьером
Оплата
- Онлайн-оплата
- Оплата при получении
Гарантия
- Гарантия 12 месяцев
Описание и Характеристики
Отзывы
Транзистор IGBT Маркування: RJP63F3A Корпус: TO-220FL Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Аналог: RJP63F3DPP Технічні параметри: Collector to emitter voltage: 630V Gate to emitter voltage: ± 30V Collector current: 40A Collector peak current: 200A Collector dissipation: 30W (Колекція в специфікаціях) Новая почта Ін-тайм УкрПочта
Еще не добавлено ни одного отзыва.
Будьте первым, кто это сделает!