RJP63F3A, IGBT транзистор N Channel, 630V 40A, TO220FL
Доставка
- Нова Пошта
- Самовивіз
- Кур’єром
Оплата
- Онлайн оплата
- Оплата при отримані
Гарантія
- Гарантія 12 місяців
Доставка
- Нова Пошта
- Самовивіз
- Кур’єром
Оплата
- Онлайн оплата
- Оплата при отримані
Гарантія
- Гарантія 12 місяців
Опис та Характеристики
Відгуки
Транзистор IGBT Маркування: RJP63F3A Корпус: TO-220FL Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Аналог: RJP63F3DPP Технічні параметри: Collector to emitter voltage: 630V Gate to emitter voltage: ± 30V Collector current: 40A Collector peak current: 200A Collector dissipation: 30W (Колекція в специфікаціях) Новая почта Ін-тайм УкрПочта
Будьте першим, хто це зробить!