SP8M3 MOSFET транзисторная сборка N+P-канал 30В 5А/4.5А SOP8

Транзистор польовий Маркування: SP8M3 Корпус: SOP-8 4V Drive Nch+Pch MOS FET Технічні характеристики: Max n-channel Drain-source voltage: 30V Gate-source voltage: ±20V Continuous drain current (Ta=25°C): ±5A Pulsed drain current: ±20A Source current (body diode): 1.6A Pulsed source current (body diode): 20A Total power dissipation: 2W Max p-channel Drain-source voltage: -30V Gate-source voltage: ±20V Continuous drain current (Ta=25°C): ±4.5A Pulsed drain current: ±18A Source current (body diode): -1.6A Pulsed source current (body diode): -18A Total power dissipation: 2W (Дивіться даташит у специфікаціях)