AP9997GH, MOSFET транзистор N канал, 100В, 11А, TO252
Доставка
- Новая Почта
- Самовывоз
- Курьером
Оплата
- Онлайн-оплата
- Оплата при получении
Гарантия
- Гарантия 12 месяцев
Доставка
- Новая Почта
- Самовывоз
- Курьером
Оплата
- Онлайн-оплата
- Оплата при получении
Гарантия
- Гарантия 12 месяцев
Описание и Характеристики
Отзывы
Польовий транзистор Маркування: 9997GH Корпус: TO-252 N-Channel MOSFET uses advanced trench technology Технічні характеристики: Drain-Source Voltage: 100V Gate-Source Voltage: ±20V Continuous Drain Current: 11A Pulsed Drain Current: 30A Power Dissipation: 34.7W Operating Junction & Storage Temperature Range: -55 to 150°C (Дивіться даташит в специфікаціях)
Еще не добавлено ни одного отзыва.
Будьте первым, кто это сделает!