IPD09N03LA, Mosfet транзистор N-канал, 25 В 50 А, TO252
Активні компоненти
Немає в наявності
Доставка
- Нова Пошта
- Самовивіз
- Кур’єром
Оплата
- Онлайн оплата
- Оплата при отримані
Гарантія
- Гарантія 12 місяців
Доставка
- Нова Пошта
- Самовивіз
- Кур’єром
Оплата
- Онлайн оплата
- Оплата при отримані
Гарантія
- Гарантія 12 місяців
Опис та Характеристики
Відгуки
польовий Маркування: 09N03LA Корпус: TO-252 OptiMOS 2 Power-Transistor Технічні параметри: Drain source breakdown voltage: 20V Gate-Source Voltage: ±20V Continuous Drain Current: 50A Pulsed Drain Current: 350A Power Dissipation: 63W Junction Temperature: -55 to 175°C Новая почта Ін-тайм УкрПочта
Будьте першим, хто це зробить!