FQU1N60C, MOS-fet транзистор N-ch 1А, 600В, TO251

Активні компоненти
Немає в наявності
Артикул
001348
0
Доставка
  • Нова Пошта
  • Самовивіз
  • Кур’єром
Оплата
  • Онлайн оплата
  • Оплата при отримані
Гарантія
  • Гарантія 12 місяців
Доставка
  • Нова Пошта
  • Самовивіз
  • Кур’єром
Оплата
  • Онлайн оплата
  • Оплата при отримані
Гарантія
  • Гарантія 12 місяців
Опис та Характеристики
Відгуки
Транзистор польовий Маркування: FQU1N60C Корпус: TO-251 600V N-Channel MOSFET Технічні параметри (Tc=25°C): Drain source voltage: 600V Gate-Source Voltage: ±30V Drain current: 1A Drain current pulsed: 4A (Дивіться даташит у специфікаціях)
Відгуки
Ще не додано жодного відгуку.
Будьте першим, хто це зробить!
Залишити відгук

З цим товаром купують

Зображення
FQU1N60C, MOS-fet транзистор N-ch 1А, 600В, TO251 — Photo 5
New
Налаштування доступності
Налаштування контрасту
Розмір шрифту
Міжбуквенний інтервал
Міжрядковий інтервал
Зображення
Шрифт
Скинути налаштування