IRF5305S, MOSFET транзистор, P channel, 55В, 31А, TO263
Опис
Характеристики
Специфікація
Інформація для замовлення
Польовий Транзистор
Маркування: F5305S
Корпус: TO-263
HEXFET Power MOSFET
Технічні параметри:
Drain-voltage source: -55V
Gate-voltage source: ±20 V
Drain current: -31A
Total power dissipation: 115W
(Дивіться даташит в специфікаціях)
Способи доставки: Нова пошта
Ін-тайм
УкрПошта
Основні | |
---|---|
Виробник | International Rectifier |
Тип транзистора | Польовий |
Користувальницькі характеристики | |
Стан | Демонтаж |
Тип польового транзистора | P-Channel |
Тип монтажу | Поверхневий (SMD) |
- Ціна: 24,50 ₴