2SJ529, MOSFET транзистор P канал, 60В, 10А, TO252
Доставка
- Новая Почта
- Самовывоз
- Курьером
Оплата
- Онлайн-оплата
- Оплата при получении
Гарантия
- Гарантия 12 месяцев
Доставка
- Новая Почта
- Самовывоз
- Курьером
Оплата
- Онлайн-оплата
- Оплата при получении
Гарантия
- Гарантия 12 месяцев
Описание и Характеристики
Отзывы
Транзистор польовий Маркування: J529 Корпус: TO-252 (D-pack) Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Технічні параметри: Drain-Source Voltage: -60V Gate-Source Voltage: ± 20V Continuous Drain Current: -10A Drain peak current: -40A Body-drain diode reverse drain current: -10A Avalenche current: -10A Power Dissipation: 20W Operating Temperature: - 55 to 150°C (Колекція в специфікаціях)
Еще не добавлено ни одного отзыва.
Будьте первым, кто это сделает!